TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB68A-R4 Диод: защитный; 600Вт; 68В; 6,8А; однонаправленная; DO214AA; ±5%

Вид упаковки бобина
лента
Импульсный ток 6.8А
Конструкция диода однонаправленная
Корпус DO214AA
Монтаж SMD
Напряжение пробоя 68В
Обозначение производителя P6SMB68A-R4
Обратное напряжение макс. 58.1В
Погрешность ±5%
Потери мощности 600Вт
Производитель TAIWAN SEMICONDUCTOR
Тип диода защитный
Ток утечки 1мкА
Масса брутто0.14 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru