TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB200A R4 Диод: защитный; 600Вт; 200В; 2,2А; однонаправленная; DO214AA; ±5%

Вид упаковки бобина
лента
Импульсный ток 2.2А
Конструкция диода однонаправленная
Корпус DO214AA
Монтаж SMD
Напряжение пробоя 200В
Обозначение производителя P6SMB200A R4
Обратное напряжение макс. 171В
Погрешность ±5%
Потери мощности 600Вт
Производитель TAIWAN SEMICONDUCTOR
Тип диода защитный
Ток утечки 1мкА
Масса брутто0.24 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru