MICROSEMI MASMLJ16AE3 Диод: защитный; 3кВт; 17,8В; 115,4А; однонаправленная; DO214AB; ±5%
| Импульсный ток | 115.4А |
| Конструкция диода | однонаправленная |
| Корпус | DO214AB |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение пробоя | 17.8В |
| Обозначение производителя | MASMLJ16AE3 |
| Обратное напряжение макс. | 16В |
| Погрешность | ±5% |
| Потери мощности | 3кВт |
| Производитель | MICROSEMI |
| Тип диода | защитный |
| Ток утечки | 2мкА |
| Масса брутто | 1 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты