VISHAY IRFD912PBF Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,7А; 1,3Вт; DIP4

Заряд затвора 18нC
Корпус DIP4
Монтаж THT
Мощность 1.3Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток -100В
Обозначение производителя IRFD912PBF
Полярность полевой
Производитель VISHAY
Сопротивление в открытом состоянии 0.6Ом
Тип транзистора P-MOSFET
Ток стока -0.7А
Масса брутто0.31 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru