INFINEON TECHNOLOGIES SPB18P06PGATMA1 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 81.1Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | -60В |
| Обозначение производителя | SPB18P06PGATMA1 |
| Полярность | полевой |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Сопротивление в открытом состоянии | 130мОм |
| Технология | SIPMOS™ |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Ток стока | -18.6А |
| Масса брутто | 1 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты