VISHAY SI5855DC-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,6А; 2,1Вт; 1206-8
| Заряд затвора | 7.7нC |
| Корпус | 1206-8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2.1Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±8В |
| Напряжение сток-исток | -20В |
| Обозначение производителя | SI5855DC-T1-GE3 |
| Полярность | полевой |
| Производитель | VISHAY |
| Сопротивление в открытом состоянии | 0.24Ом |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Ток стока | -2.6А |
| Масса брутто | 0.42 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты