ON SEMICONDUCTOR NTS4101PT1G Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SOT323
| Вид упаковки |
бобина
лента |
| Заряд затвора | 6.4нC |
| Корпус | SOT323 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 0.329Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±8В |
| Напряжение сток-исток | -20В |
| Обозначение производителя | NTS4101PT1G |
| Полярность | полевой |
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR |
| Сопротивление в открытом состоянии | 160мОм |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Ток стока | -0.62А |
| Масса брутто | 0.04 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты