ON SEMICONDUCTOR NTE4151PT1G Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89
| Вид упаковки |
бобина
лента |
| Заряд затвора | 2.1нC |
| Корпус | SC89 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 313мВт |
| Напряжение затвор-исток | ±6В |
| Напряжение сток-исток | -20В |
| Обозначение производителя | NTE4151PT1G |
| Полярность | полевой |
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR |
| Сопротивление в открытом состоянии | 1000мОм |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Ток стока | -0.76А |
| Масса брутто | 0.1 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты