Infineon (IRF) IRF5210SPBF Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK; HEXFET®

Заряд затвора 120нC
Корпус D2PAK
Монтаж SMD
Мощность 3.8Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток -100В
Обозначение производителя IRF5210SPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Сопротивление в открытом состоянии 60мОм
Технология HEXFET®
Тип транзистора P-MOSFET
Ток стока -40А
Масса брутто1.5 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru