ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FDS6675BZ Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8; PowerTrench®

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 35нC
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток ±25В
Напряжение сток-исток -30В
Обозначение производителя FDS6675BZ
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Сопротивление в открытом состоянии 21.8мОм
Технология PowerTrench®
Тип транзистора P-MOSFET
Ток стока -11А
Масса брутто0.08 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru