ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FDG312P Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,2А; 0,75Вт; SC70-6

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 5нC
Корпус SC70-6
Монтаж SMD
Мощность 0.75Вт
Напряжение затвор-исток ±8В
Напряжение сток-исток -20В
Обозначение производителя FDG312P
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Сопротивление в открытом состоянии 290мОм
Технология PowerTrench®
Тип транзистора P-MOSFET
Ток стока -1.2А
Масса брутто0.53 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru