INFINEON TECHNOLOGIES IPI086N10N3GXKSA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3
| Корпус | PG-TO262-3 |
| Монтаж | THT |
| Мощность | 125Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Обозначение производителя | IPI086N10N3GXKSA1 |
| Полярность | полевой |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Сопротивление в открытом состоянии | 8.6мОм |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 80А |
| Масса брутто | 1.53 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты