DIODES INCORPORATED ZXMN4A06GTA Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

Вид упаковки бобина
лента
Корпус SOT223
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 40В
Обозначение производителя ZXMN4A06GTA
Полярность полевой
Производитель DIODES INCORPORATED
Сопротивление в открытом состоянии 75мОм
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 5.6А
Масса брутто0.11 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru