ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) RFD12N06RLESM9A Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK; UltraFET®

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 15нC
Корпус DPAK
Монтаж SMD
Мощность 49Вт
Напряжение затвор-исток ±16В
Напряжение сток-исток 60В
Обозначение производителя RFD12N06RLESM9A
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Сопротивление в открытом состоянии 75мОм
Технология UltraFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока
Масса брутто1.5 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru