ON SEMICONDUCTOR MGSF2N02ELT1G Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,8А; 1,25Вт; SOT23-6

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 3.5нC
Корпус SOT23-6
Монтаж SMD
Мощность 1.25Вт
Напряжение затвор-исток ±8В
Напряжение сток-исток 20В
Обозначение производителя MGSF2N02ELT1G
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR
Сопротивление в открытом состоянии 85мОм
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 2.8А
Масса брутто0.1 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru