ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1G Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,75А; 0,4Вт; SOT23-6

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 6нC
Корпус SOT23-6
Монтаж SMD
Мощность 0.4Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 20В
Обозначение производителя MGSF1N02LT1G
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR
Сопротивление в открытом состоянии 90мОм
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 0.75А
Масса брутто0.02 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru