INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010ESPBF Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 60В; 83А; 170Вт
| Заряд затвора | 86.6нC |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 170Вт |
| Напряжение затвор-исток | 20В |
| Напряжение сток-исток | 60В |
| Обозначение производителя | IRF1010ESPBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | INTERNATIONAL RECTIFIER |
| Сопротивление в открытом состоянии | 12мОм |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 0.9К/Вт |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 83А |
| Масса брутто | 0 mg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты