ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FQD19N10LTM Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK; QFET®
| Вид упаковки |
бобина
лента |
| Заряд затвора | 18нC |
| Корпус | DPAK |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 50Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Обозначение производителя | FQD19N10LTM |
| Полярность | полевой |
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 110мОм |
| Технология | QFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 9.8А |
| Масса брутто | 1.5 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты