ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FQB6N80TM Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,67А; 158Вт; D2PAK; QFET®
| Вид упаковки |
бобина
лента |
| Заряд затвора | 31нC |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 158Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Напряжение сток-исток | 800В |
| Обозначение производителя | FQB6N80TM |
| Полярность | полевой |
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 1950мОм |
| Технология | QFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 3.67А |
| Масса брутто | 3 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты