DIODES INCORPORATED ZXMC4A16DN8TA Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 4,7/-5,2А; 2,1Вт; SO8
| Вид упаковки |
бобина
лента |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2.1Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 40/-40В |
| Обозначение производителя | ZXMC4A16DN8TA |
| Полярность | полевой |
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Сопротивление в открытом состоянии | 50/60мОм |
| Тип транзистора | N/P-MOSFET |
| Ток стока | 4.7/-5.2А |
| Масса брутто | 1 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты