DIODES INCORPORATED ZXMC4559DN8TC Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3,9/-4,7А; 2,2Вт; SO8

Вид упаковки бобина
лента
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.2Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 60/-60В
Обозначение производителя ZXMC4559DN8TC
Полярность полевой
Производитель DIODES INCORPORATED
Сопротивление в открытом состоянии 55/850мОм
Тип транзистора N/P-MOSFET
Ток стока 3.9/-4.7А
Масса брутто1 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru