VISHAY SI9945BDY-T1-GE Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,4А; 3,1Вт; SO8
| Заряд затвора | 20нC |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 3.1Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 60В |
| Обозначение производителя | SI9945BDY-T1-GE |
| Полярность | полевой |
| Производитель | VISHAY |
| Сопротивление в открытом состоянии | 72мОм |
| Тип транзистора | N-MOSFET x2 |
| Ток стока | 3.4А |
| Масса брутто | 0.12 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты