ON SEMICONDUCTOR NTZD3155CT1G Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -20/20В; 0,39/-0,31А; 0,25Вт

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 1.5/1.7нC
Корпус SOT563-6
Монтаж SMD
Мощность 0.25Вт
Напряжение затвор-исток ±6В
Напряжение сток-исток -20/20В
Обозначение производителя NTZD3155CT1G
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR
Сопротивление в открытом состоянии 400/500мОм
Тип транзистора N/P-MOSFET
Ток стока 0.39/-0.31А
Масса брутто0.03 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru