ON SEMICONDUCTOR NTZD3152PT1G Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 1.7нC
Корпус SOT563
Монтаж SMD
Мощность 0.25Вт
Напряжение затвор-исток ±6В
Напряжение сток-исток -20В
Обозначение производителя NTZD3152PT1G
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR
Сопротивление в открытом состоянии 2000мОм
Тип транзистора P-MOSFET x2
Ток стока -0.43А
Масса брутто0.2 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru