ON SEMICONDUCTOR NTJD4105CT1G Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-8В; 630/-755мА; 270мВт; SC88

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 3/4нC
Корпус SC88
Монтаж SMD
Мощность 0.27Вт
Напряжение затвор-исток ±12/±8В
Напряжение сток-исток 20/-8В
Обозначение производителя NTJD4105CT1G
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR
Сопротивление в открытом состоянии 445/900мОм
Тип транзистора N/P-MOSFET
Ток стока 0.63/-0.755А
Масса брутто0.01 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru