Infineon (IRF) IRF9953TRPBF Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2,3А; 2Вт; SO8; HEXFET®

Вид упаковки бобина
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение сток-исток -30В
Обозначение производителя IRF9953TRPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Технология HEXFET®
Тип транзистора P-MOSFET x2
Ток стока -2.3А
Масса брутто0.43 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru