Infineon (IRF) IRF9953PBF Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2,3А; 2Вт; SO8; HEXFET®
| Заряд затвора | 6.1нC |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | -30В |
| Обозначение производителя | IRF9953PBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 250мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | P-MOSFET x2 |
| Ток стока | -2.3А |
| Масса брутто | 0.08 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты