Infineon (IRF) IRF9952PBF Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

Заряд затвора 6.9/6.1нC
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 30/-30В
Обозначение производителя IRF9952PBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Сопротивление в открытом состоянии 100мОм
Технология HEXFET®
Тип транзистора N/P-MOSFET
Ток стока 3.5/-2.3А
Масса брутто0.07 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru