Infineon (IRF) IRF9910PBF Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 2Вт; SO8; HEXFET®
| Заряд затвора | 0нC |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 20В |
| Обозначение производителя | IRF9910PBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 13.4мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET x2 |
| Ток стока | 10А |
| Масса брутто | 0.08 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты