Infineon (IRF) IRF7509TRPBF Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,7/-2А; 1,25Вт; SO8

Вид упаковки бобина
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 1.25Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 30/-30В
Обозначение производителя IRF7509TRPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Сопротивление в открытом состоянии 110/200мОм
Технология HEXFET®
Тип транзистора N/P-MOSFET
Ток стока 2.7/-2А
Масса брутто0.43 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru