Infineon (IRF) IRF7379TRPBF Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5,8/-4,3А; 2,5Вт; SO8

Вид упаковки бобина
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 30/-30В
Обозначение производителя IRF7379TRPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Сопротивление в открытом состоянии 45/90мОм
Технология HEXFET®
Тип транзистора N/P-MOSFET
Ток стока 5.8/-4.3А
Масса брутто0.43 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru