ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FDG6308P Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,6А; 0,3Вт; SC70-6

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 2.5нC
Корпус SC70-6
Монтаж SMD
Мощность 0.3Вт
Напряжение затвор-исток ±8В
Напряжение сток-исток -20В
Обозначение производителя FDG6308P
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Сопротивление в открытом состоянии 0.8Ом
Технология PowerTrench®
Тип транзистора P-MOSFET x2
Ток стока -0.6А
Масса брутто0.02 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru