IXYS IXTN40P50P Модуль; одиночный транзистор; Uds: -500В; Id: -40А; SOT227B; 890Вт

Импульсный ток -160А
Конструкция диода одиночный транзистор
Корпус SOT227B
Монтаж винтами
Мощность 890Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток -500В
Обозначение производителя IXTN40P50P
Полярность полевой
Производитель IXYS
Рабочая температура -55...150°C
Сопротивление в открытом состоянии 230мОм
Тип модуля транзисторный
Ток стока -40А
Электрический монтаж винтами
Масса брутто0.03 kg
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru