IXYS IXFN106N20 Одиночный транзистор; SOT227B; Ifsm:424А; Id:106А; 520Вт; винтами
| Импульсный ток | 424А |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 520Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 200В |
| Обозначение производителя | IXFN106N20 |
| Полярность | полевой |
| Производитель | IXYS |
| Рабочая температура | -55...150°C |
| Сопротивление в открытом состоянии | 20мОм |
| Технология | HiPerFET™ |
| Тип модуля | транзисторный |
| Ток стока | 106А |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0 mg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты