ST MICROELECTRONICS STGE200NB60S Одиночный транзистор; Urmax:600В; Ic:150А; P:600Вт; Ifsm:400А
| Импульсный ток | 400А |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Корпус | ISOTOP |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 600Вт |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Обозначение производителя | STGE200NB60S |
| Обратное напряжение макс. | 600В |
| Производитель | ST MICROELECTRONICS |
| Рабочая температура | -55...150°C |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора | 150А |
| Топология | одиночный транзистор |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.04 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты