SEMIKRON SKM75GB17E4 Полумост IGBT; Urmax:1,7кВ; Ic:75А; Ifsm:510А; SEMITRANS2

Импульсный ток 510А
Конструкция диода транзистор/транзистор
Корпус SEMITRANS2
Монтаж винтами
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Обозначение производителя SKM75GB17E4
Обратное напряжение макс. 1.7кВ
Производитель SEMIKRON
Рабочая температура -40...150°C
Тип модуля IGBT
Ток коллектора 75А
Топология полумост IGBT
Электрический монтаж винтами
Масса брутто0.16 kg
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru