SEMIKRON SKM100GB12T4G Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:118А; Ifsm:300А; SEMITRANS3

Импульсный ток 300А
Конструкция диода транзистор/транзистор
Корпус SEMITRANS3
Монтаж винтами
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Обозначение производителя SKM100GB12T4G
Обратное напряжение макс. 1.2кВ
Производитель SEMIKRON
Рабочая температура -40...125°C
Тип модуля IGBT
Ток коллектора 118А
Топология полумост IGBT
Электрический монтаж винтами
Масса брутто0.32 kg
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru