TOSHIBA MG200Q1US41 Transistor: IGBT; 1.2kV; 200A; 1.4kW; 2-109A4A
| Время включения | 200нс |
| Время выключения | 300нс |
| Корпус | 2-109A4A |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 1.4кВт |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4В |
| Обозначение производителя | MG200Q1US41 |
| Принципиальная схема | посмотрите |
| Производитель | TOSHIBA |
| Рабочая температура | -40...125°C |
| Размеры | посмотрите |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора в импульсе | 400А |
| Ток коллектора | 200А |
| Масса брутто | 0 mg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты