TOSHIBA MG200J2YS50 Transistor: IGBT; 600V; 200A; 900W; 2-95A1A
| Время включения | 150нс |
| Время выключения | 150нс |
| Корпус | 2-95A1A |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 900Вт |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7В |
| Обозначение производителя | MG200J2YS50 |
| Принципиальная схема | посмотрите |
| Производитель | TOSHIBA |
| Рабочая температура | -40...125°C |
| Размеры | посмотрите |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора в импульсе | 400А |
| Ток коллектора | 200А |
| Масса брутто | 0 mg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты