TOSHIBA GT60N321(Q) Транзистор: IGBT; 1000В; 60А; 170Вт; TO3P

Время включения 330нс
Время выключения 700нс
Корпус TO3P
Монтаж THT
Мощность 170Вт
Напряжение затвор - эмиттер ±25В
Напряжение коллектор-эмиттер 1000В
Обозначение производителя GT60N321(Q)
Производитель TOSHIBA
Тип модуля IGBT
Ток коллектора в импульсе 120А
Ток коллектора 60А
Масса брутто0 mg
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru