ON SEMICONDUCTOR MUN5313DW1T1G Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 187мВт; SOT363

Вид транзистора BRT
Вид упаковки бобина
лента
Корпус SOT363
Монтаж SMD
Напряжение коллектор-эмиттер 50В
Обозначение производителя MUN5313DW1T1G
Полярность биполярный
Потери мощности 187мВт
Производитель ON SEMICONDUCTOR
резистор базы 47кОм
резистор эмиттер - база 22кОм
Тип транзистора NPN x2
Ток коллектора 0.1А
Масса брутто0.02 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru