LITTELFUSE MCR08BT1G Тиристор; 200В; 800мА; 200мА; Упаковка: бобина, лента; SMD; SOT223

Вид упаковки бобина
лента
Корпус SOT223
Монтаж SMD
Обозначение производителя MCR08BT1G
Обратное напряжение макс. 200В
Производитель LITTELFUSE
Прямой ток макс. 800мА
Тип полупроводникового элемента тиристор
Ток управления 200мА
Характеристики полупроводниковых элементов glass passivated
Масса брутто0.2 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru