TAIWAN SEMICONDUCTOR P6KE82A R0 Диод: защитный; 600Вт; 82В; 5,5А; однонаправленная; DO15; ±5%

Вид упаковки бобина
лента
Импульсный ток 5.5А
Конструкция диода однонаправленная
Корпус DO15
Монтаж THT
Напряжение пробоя 82В
Обозначение производителя P6KE82A R0
Обратное напряжение макс. 70.1В
Погрешность ±5%
Потери мощности 600Вт
Производитель TAIWAN SEMICONDUCTOR
Тип диода защитный
Ток утечки 1мкА
Масса брутто0.44 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru