TAIWAN SEMICONDUCTOR US1J R2 Диод: импульсный; SMD; 600В; 1А; 75нс; Упаковка: бобина, лента; SMA

Вид упаковки бобина
лента
Время готовности 75нс
Емкость 10пФ
Импульсный ток 30А
Конструкция диода одиночный диод
Корпус SMA
Монтаж SMD
Обозначение производителя US1J R2
Обратное напряжение макс. 600В
Падение напряжения при If 1.7В
Производитель TAIWAN SEMICONDUCTOR
Прямой ток
Тип диода импульсный
Характеристики полупроводниковых элементов сверхбыстрый диод
Масса брутто0.04 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru