TAIWAN SEMICONDUCTOR 1N4448 R0 Диод: импульсный; THT; 100В; 150мА; Упаковка: бобина, лента; DO35

Вид упаковки бобина
лента
Время готовности 4нс
Емкость 4пФ
Импульсный ток
Конструкция диода одиночный диод
Корпус DO35
Монтаж THT
Мощность 500мВт
Обозначение производителя 1N4448 R0
Обратное напряжение макс. 100В
Падение напряжения при If
Производитель TAIWAN SEMICONDUCTOR
Прямой ток макс. 450мА
Прямой ток 150мА
Тип диода импульсный
Масса брутто0.13 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru