TAIWAN SEMICONDUCTOR 1N4448 A0 Диод: импульсный; THT; 100В; 150мА; Упаковка: Ammo Pack; DO35; 4нс

Вид упаковки Ammo Pack
Время готовности 4нс
Емкость 4пФ
Импульсный ток
Конструкция диода одиночный диод
Корпус DO35
Монтаж THT
Мощность 500мВт
Обозначение производителя 1N4448 A0
Обратное напряжение макс. 100В
Падение напряжения при If
Производитель TAIWAN SEMICONDUCTOR
Прямой ток макс. 450мА
Прямой ток 150мА
Тип диода импульсный
Масса брутто1 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru