MAXIM-DALLAS DS12CR887-33+ Микросхема RTC; SRAM; 114Б; 2÷5,5ВDC; EDIP24

Вид памяти SRAM
Выходное напряжение 0.4...2.4В
Емкость памяти 114Б
Корпус EDIP24
Монтаж THT
Напряжение питания 2...5.5В DC
Обозначение производителя DS12CR887-33+
Производитель MAXIM-DALLAS
Тип микросхемы микросхема RTC
Ток питания DC 2мА
Масса брутто2 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru